DMNH6012LK3-13 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


Diodes Incorporated
现货: 4,362
单价: $2.70000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $1.63130
规格书

类似


onsemi
现货: 1,638
单价: $3.73000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,400
单价: $3.17000
规格书

类似


onsemi
现货: 9,775
单价: $2.50000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 23,977
单价: $2.13000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 7,490
单价: $2.91000
规格书
表面贴装型 N 通道 60 V 60A(Tc) 2W(Ta) TO-252-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 60 V 60A(Tc) 2W(Ta) TO-252-3
TO-252-3

DMNH6012LK3-13

DigiKey 零件编号
DMNH6012LK3-13-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
DMNH6012LK3-13
描述
MOSFET N-CH 60V 60A TO252
原厂标准交货期
40 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 60A(Tc) 2W(Ta) TO-252-3
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
35.2 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
包装
卷带(TR)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1926 pF @ 30 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
等级
汽车级
漏源电压(Vdss)
60 V
资质
AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
安装类型
表面贴装型
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
供应商器件封装
TO-252-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 25A,10V
封装/外壳
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
DMNH6012LK3Q-13Diodes Incorporated4,362DMNH6012LK3Q-13DICT-ND$2.70000参数等效
AUIRFR2905ZTRLInfineon Technologies0AUIRFR2905ZTRL-ND$1.63130类似
FDD13AN06A0onsemi1,638FDD13AN06A0CT-ND$3.73000类似
FDD13AN06A0-F085onsemi1,400FDD13AN06A0-F085CT-ND$3.17000类似
FDD86581-F085onsemi9,775FDD86581-F085OSCT-ND$2.50000类似
按订单供货
厂方库存:10,000
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卷带(TR)
数量 单价总价
2,500$0.74310$1,857.75
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.74310
含 VAT 单价:$0.80998