类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 44 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1380 pF @ 25 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 110W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 55 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 42A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	供应商器件封装 TO-252AA (DPAK)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 14.5 毫欧 @ 36A，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMNH6012LK3Q-13	Diodes Incorporated	4,362	DMNH6012LK3Q-13DICT-ND	$2.70000	类似
FDD13AN06A0	onsemi	1,638	FDD13AN06A0CT-ND	$3.73000	类似
STD60NF55LAT4	STMicroelectronics	7,490	497-18737-1-ND	$2.91000	类似
STD60NF55LT4	STMicroelectronics	1,222	497-15669-1-ND	$2.92000	类似
STD70N6F3	STMicroelectronics	2,197	497-12240-1-ND	$3.83000	类似

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