1N5817-B 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Diodes Incorporated
现货: 47,003
单价: $0.48000
规格书

直接


onsemi
现货: 13,879
单价: $0.92000
规格书

升级


Microchip Technology
现货: 0
单价: $8.38566
规格书

升级


STMicroelectronics
现货: 23,694
单价: $0.52000
规格书

类似


MCC (Micro Commercial Components)
现货: 0
单价: $0.04753
规格书

类似


MCC (Micro Commercial Components)
现货: 0
单价: $0.04753
规格书

类似


MCC (Micro Commercial Components)
现货: 12,303
单价: $0.37000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: $7.63000
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 8,008
单价: $0.97000
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 0
单价: $0.20242
规格书
二极管 20 V 1A 通孔 DO-41
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

1N5817-B

DigiKey 零件编号
1N5817-BDI-ND
制造商
制造商产品编号
1N5817-B
描述
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
客户内部零件编号
详细描述
二极管 20 V 1A 通孔 DO-41
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
1N5817-B 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
散装
零件状态
停产
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
20 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
750 mV @ 3 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 mA @ 20 V
不同 Vr、F 时电容
110pF @ 4V,1MHz
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-41
工作温度 - 结
-65°C ~ 125°C
基本产品编号
产品问答

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