通孔 单二极管

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
DO-35
1N4148TR
DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
onsemi
389,037
现货
15,680,000
工厂
1 : $0.14000
剪切带（CT）
10,000 : $0.01161
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
100 V
200mA
1 V @ 10 mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF @ 0V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
-55°C ~ 175°C
DO-35
1N4148
DIODE STANDARD 100V 200MA DO35
onsemi
185,885
现货
3,065,000
工厂
1 : $0.14000
散装
-
散装
在售
标准
100 V
200mA
1 V @ 10 mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF @ 0V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
-55°C ~ 175°C
DO-204AC
1N4007
DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Diotec Semiconductor
66,414
现货
5,000 : $0.02611
带盒（TB）
1 : $0.14000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
标准
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
1.5 µs
5 µA @ 1000 V
-
-
-
通孔
DO-204AC，DO-41，轴向
DO-204AC（DO-41）
-50°C ~ 175°C
1N5818G
1N4007G
DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL
onsemi
0
现货
查看交期
1 : $0.19000
散装
-
散装
在售
标准
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
轴向
-65°C ~ 175°C
DO-41
1N4007-TP
DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
MCC (Micro Commercial Components)
283,943
现货
1 : $0.19000
剪切带（CT）
5,000 : $0.04497
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
2 µs
5 µA @ 1000 V
15pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
-55°C ~ 150°C
86,459
现货
1 : $0.19000
剪切带（CT）
5,000 : $0.04497
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
400 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
2 µs
5 µA @ 400 V
15pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
-55°C ~ 150°C
1N5818G
1N4004RLG
DIODE STANDARD 400V 1A AXIAL
onsemi
30,621
现货
1 : $0.22000
剪切带（CT）
5,000 : $0.04933
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
400 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
10 µA @ 400 V
-
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
轴向
-65°C ~ 175°C
1N4002G-T
1N4007G-T
DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Diodes Incorporated
1,250
现货
1 : $0.23000
剪切带（CT）
5,000 : $0.06541
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
1A
1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
2 µs
5 µA @ 1000 V
8pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
-65°C ~ 175°C
1N5818G
1N4007RLG
DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL
onsemi
2,577
现货
1 : $0.27000
剪切带（CT）
5,000 : $0.04642
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
轴向
-65°C ~ 175°C
1N5819
1N5819
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
STMicroelectronics
30,106
现货
2,000 : $0.07254
带盒（TB）
1 : $0.29000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
肖特基
40 V
1A
550 mV @ 1 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
500 µA @ 40 V
-
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
150°C（最大）
16,659
现货
1 : $0.29000
剪切带（CT）
5,500 : $0.06383
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
5 µA @ 1000 V
15pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-204AL（DO-41）
-50°C ~ 150°C
1N4002G-T
1N5817-T
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
Diodes Incorporated
61,269
现货
20,000
工厂
1 : $0.32000
剪切带（CT）
5,000 : $0.09385
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
肖特基
20 V
1A
450 mV @ 1 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
1 mA @ 20 V
110pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
-65°C ~ 125°C
1N4728A
UF4007
DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
onsemi
27,108
现货
1 : $0.50000
剪切带（CT）
5,000 : $0.12186
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
1A
1.7 V @ 1 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
75 ns
10 µA @ 1000 V
17pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
-65°C ~ 150°C
MUR4100EG
1N5408RLG
DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL
onsemi
19,939
现货
152,400
工厂
1 : $0.50000
剪切带（CT）
1,200 : $0.12621
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
3A
1 V @ 3 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
通孔
DO-201AA，DO-27，轴向
轴向
-65°C ~ 150°C
MUR4100EG
1N5408G
DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL
onsemi
13,721
现货
1 : $0.56000
散装
-
散装
在售
标准
1000 V
3A
1 V @ 3 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
10 µA @ 1000 V
-
-
-
通孔
DO-201AA，DO-27，轴向
轴向
-65°C ~ 150°C
30,274
现货
1 : $0.65000
剪切带（CT）
5,500 : $0.14653
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
1A
1.7 V @ 1 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
75 ns
10 µA @ 1000 V
17pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-204AL（DO-41）
-55°C ~ 150°C
31-DO-201AD
SB5100-T
DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
Diodes Incorporated
7,688
现货
148,800
工厂
1 : $0.66000
剪切带（CT）
1,200 : $0.38881
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
肖特基
100 V
5A
800 mV @ 5 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
500 µA @ 100 V
400pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-201AD，轴向
DO-201AD
-65°C ~ 150°C
38,861
现货
1 : $0.69000
剪切带（CT）
5,000 : $0.30287
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
雪崩
600 V
2A
1.15 V @ 2.5 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4 µs
1 µA @ 600 V
40pF @ 0V，1MHz
-
-
通孔
SOD-57，轴向
SOD-57
-55°C ~ 175°C
31-DO-201AD
SBR12A45SD1-T
DIODE SBR 45V 12A DO201AD
Diodes Incorporated
6,470
现货
44,400
工厂
1 : $0.75000
剪切带（CT）
1,200 : $0.49471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
超级势垒
45 V
12A
480 mV @ 12 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
500 µA @ 45 V
-
-
-
通孔
DO-201AD，轴向
DO-201AD
-65°C ~ 150°C
13,358
现货
1 : $0.78000
剪切带（CT）
1,400 : $0.24663
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
1000 V
3A
1.2 V @ 3 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
5 µA @ 1000 V
30pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-201AD，轴向
DO-201AD
-50°C ~ 150°C
33,985
现货
1 : $0.80000
剪切带（CT）
5,500 : $0.22632
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
不适用于新设计
标准
1000 V
1A
1.1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
2 µs
5 µA @ 1000 V
8pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-204AL（DO-41）
-50°C ~ 150°C
19,101
现货
1 : $0.80000
剪切带（CT）
5,500 : $0.27710
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
不适用于新设计
标准
2000 V
500mA
1.8 V @ 100 mA
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
300 ns
5 µA @ 2000 V
-
-
-
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-204AL（DO-41）
-65°C ~ 175°C
24,696
现货
1 : $0.82000
剪切带（CT）
5,000 : $0.36571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
雪崩
1600 V
1A
3.4 V @ 1 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
75 ns
5 µA @ 1600 V
-
-
-
通孔
SOD-57，轴向
SOD-57
-55°C ~ 175°C
MUR4100EG
MBR360RLG
DIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIAL
onsemi
2,572
现货
1 : $0.82000
剪切带（CT）
1,500 : $0.23793
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
肖特基
60 V
3A
740 mV @ 3 A
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
-
600 µA @ 60 V
-
-
-
通孔
DO-201AA，DO-27，轴向
轴向
-65°C ~ 150°C
6A04-G
6A04-G
DIODE STANDARD 400V 6A P600
Comchip Technology
17,892
现货
500 : $0.36850
带盒（TB）
1 : $0.83000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
标准
400 V
6A
1.1 V @ 6 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
5 µA @ 400 V
100pF @ 4V，1MHz
-
-
通孔
P600，轴向
P600
-55°C ~ 125°C
显示
/ 14,199

Types of Rectifier Diodes

    Standard Rectifier Diodes
  • Standard Diodes (Silicon PN Junction) Standard diodes are the most basic type of rectifier diode, made from silicon with a PN junction. They’re commonly used in AC-to-DC converters, power rectification, and general circuit protection. These diodes typically have a forward voltage drop around 0.7V and are best suited for low-frequency switching. Their reverse recovery time (how quickly they stop conducting when switched off) is relatively slow, which limits their use in high-speed applications. They also have low reverse leakage current, which makes them reliable for steady-state operations.

  • Schottky Barrier Diodes (SBD)
    Schottky diodes (SBDs) use a metal-semiconductor junction instead of a traditional PN junction, resulting in faster switching speeds and lower forward voltage drops—often between 0.2V and 0.4V. This makes them ideal for DC-DC converters, high-efficiency power supplies, and circuits where minimizing power loss is critical. However, one drawback of SBDs is their higher reverse leakage current, especially at elevated temperatures, which can be a concern in precision or battery-operated devices.

  • Super Barrier Rectifiers (SBR)
    Super Barrier Rectifiers (SBRs) combine the best traits of standard diodes and Schottky diodes. They offer low forward voltage drop like SBDs, but with significantly lower reverse leakage current and improved reverse voltage handling. SBRs are well-suited for switching power converters, adapters, and automotive electronics, where energy efficiency and thermal stability are important. They’re often a better choice than Schottky diodes when the application involves higher ambient temperatures or larger voltage transients.

  • Avalanche Diodes
    Avalanche diodes are designed to operate reliably in reverse breakdown mode, where they safely conduct current once a specific reverse voltage threshold is exceeded. Unlike standard diodes that can be damaged by breakdown, avalanche diodes are built to handle this condition repeatedly and predictably.
    • In fast switching rectification, avalanche diodes are sometimes preferred over standard PN diodes because of their improved reverse recovery behavior, which reduces switching losses and improves overall converter efficiency. Their ability to withstand high reverse voltage transients without degradation makes them particularly suited for snubber circuits, flyback converters, and hard-switched topologies.

  • Silicon Carbide (SiC) Diodes
    SiC diodes are built from silicon carbide, a wide-bandgap material that allows them to handle very high voltages (600V and up) and extreme temperatures (>150°C). They are ideal for industrial converters, electric vehicle chargers, solar inverters, and motor drives, especially in circuits requiring fast switching and zero reverse recovery time. Although more expensive than silicon-based diodes, their durability and efficiency at high voltages and frequencies often make them the best long-term choice in demanding applications.