Vishay / Siliconix

第五代 TrenchFET MOSFET

Vishay 的 80 V、100 V 和 150 V MOSFET 具有极低的 RDS 至 Qg FOM

Vishay Siliconix 的第五代 TrenchFET® MOSFET 图片Vishay TrenchFET® 第五代功率 MOSFET 可为隔离式和非隔离式拓扑提供更高的功率密度和效率。超低导通电阻、高达 +175°C 的工作温度以及 Vishay 节省空间的 PowerPAK® 封装有助于通过键合无引线结构提高板级可靠性。该系列经过 100% RG 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准且不含卤素。

特性
  • 极低的 RDS - Qg FOM
  • 经过调节可实现非常低的 RDS - QOSS FOM
应用
  • 同步整流
  • 初级侧开关
  • DC/DC 转换器
  • 太阳能微型逆变器
  • 电机驱动开关
  • 电池和负载开关
  • 工业电机驱动
  • 电池充电器

Gen V TrenchFET MOSFETs

图片制造商零件编号描述漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETSIDR5802EP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET80 V5899 - 立即发货$4.97查看详情
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWESIR5802DP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE80 V6136 - 立即发货$3.65查看详情
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR5102DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW100 V4568 - 立即发货$5.20查看详情
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFESIDR5102EP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE100 V5610 - 立即发货$5.09查看详情
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW150 V4051 - 立即发货$4.15查看详情
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFESIDR578EP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE150 V6336 - 立即发货$5.48查看详情
发布日期： 2023-10-16

Related Product Highlight

150 V 第五代 SiR578DP MOSFET Vishay 的 150 V 第五代 SiR578DP MOSFET 可提高功率密度和效率。
5G MOSFET Vishay 的 5G MOSFET 是 5G 基础设施、基站以及边缘计算和云计算的理想选择。