SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR5102EP-T1-RE3

DigiKey 零件编号
742-SIDR5102EP-T1-RE3TR-ND - 卷带（TR）
742-SIDR5102EP-T1-RE3CT-ND - 剪切带（CT）
742-SIDR5102EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIDR5102EP-T1-RE3
描述
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
原厂标准交货期
33 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 28.2A（Ta）， 126A（Tc） 7.5W（Ta），150W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIDR5102EP-T1-RE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen V
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28.2A（Ta）， 126A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2850 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
7.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIDR5102
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现货: 5,610
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$5.09000$5.09
10$3.32600$33.26
100$2.32500$232.50
500$2.03992$1,019.96
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
3,000$1.66662$4,999.86
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$5.09000
含 VAT 单价:$5.54810