PowerTrench® MOSFETs

onsemi T10 系列 MOSFET 采用紧凑型 5 mm x 6 mm 封装,具有较低的总栅极电荷和更好的恢复特性

onsemi PowerTrench® MOSFET 的图片onsemi PowerTrench MOSFET 代表了效率和性能的飞跃。从 T6/T8 到 T10 的转变特点是导通电阻和开关性能的显著改善,这对于能量敏感型设计至关重要。T10 系列 MOSFET 采用紧凑型 5 mm x 6 mm 封装,具有较低的总栅极电荷和更好的恢复特性,对应着在高频开关应用中更少能量化为热量浪费、更高的可靠性和更强的性能。

T10 MOSFET 具有更高的雪崩电流和能量能力,确保极端条件下的稳健性。这些进步不仅仅是渐进的;它们具有变革性,使得电子设备更加紧凑、高效、功能更加强大。从 DC/DC 转换器到电机驱动器,PowerTrench 技术为电源管理解决方案设定了标准。

特性
  • 降低高频开关损耗
  • 散热效果更佳
  • 更低的 RDS(ON) 可改善传导损耗
  • 更小、更高功率密度的封装
  • 符合 AEC 标准的 40 V 至 80 V T10 MOSFET
  • 与上一代相比,Rsp 减少 30% 至 40%
  • Qg、Qsw 和 Qoss 缩小两倍
  • 更软的恢复二极管和更低的 Qrr
  • UIS 能力提高 10%
应用
  • 数据中心
  • DC/DC 电源转换级
  • 通用且适合多种不同应用

PowerTrench® MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期: 2024-09-09