NTMFS4D 系列低压/中压 MOSFET

onsemi NTMFS4D 系列优化 N 沟道 MOSFET 采用紧凑型 DFN5 封装,非常适合电机驱动、电池保护和电源转换

onsemi NTMFS4D 系列低压/中压 MOSFET 图片onsemi NTMFS4D 系列低压/中压 N 沟道功率 MOSFET 专为电机驱动、电池保护和同步整流等高性能应用而设计。这些器件具有业界领先的低 RDS(ON) 值(低至 3.9 mΩ),可最大限度减少传导损耗并提高整体系统效率。NTMFS4D 系列的额定电压高达 80 V,某些版本的电流处理能力超过 100 A,以紧凑的 DFN5 (5 mm x 6 mm) 封装提供强大的性能,因而成为空间受限设计的理想选择。

NTMFS4D 系列的设计具有体二极管软恢复和低栅极电荷特性,可减少开关损耗和电压尖峰,且无需外部吸收电路。这些 MOSFET 符合 RoHS 规范,无卤素,并且针对热性能进行了优化,结壳热阻低至 3.5°C/W。无论是用于隔离式 DC/DC 转换器还是高效电机控制器,NTMFS4D 系列都能为设计人员提供可靠、高效的解决方案,满足严苛的电源管理应用需求。

特性
  • 高电流能力:支持高达 119 A 的连续漏极电流(具体取决于版本)
  • 紧凑型封装:DFN5 (5 mm x 6 mm) SO8FL 封装,适用于空间受限的设计
  • 体二极管软恢复:最大限度减少电压尖峰,无需外部吸收电路
  • 低栅极电荷 (Qg):降低开关损耗和驱动器要求
  • 低 RDS(ON):低至 3.5 mΩ,以最小化传导损耗
  • 宽安全工作区 (SOA):确保严苛条件下的可靠性
  • 符合 RoHS 规范且不含卤素:环保且符合法规要求
  • 热效率:结壳热阻低至 3.5°C/W
应用
  • 电机驱动器:高效电机控制系统的理想选择
  • 电池保护电路:确保电池安全可靠地运行
  • 同步整流:用于 DC/DC 和 AC/DC 转换器以提高效率
  • 隔离式 DC/DC 转换器中的主开关:适用于工业和电信系统中的电源转换
  • 汽车和工业系统中的电源管理:支持高可靠性和热性能

NTMFS4D Series Low/Medium Voltage MOSFETs

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发布日期: 2025-09-19