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下一代 SiC 肖特基势垒二极管
Microsemi 的肖特基势垒二极管产品是电气化应用的理想选择
Microsemi 宣布推出 1200 V、10 A 和 20 A SiC 肖特基势垒二极管产品，同时 30 A 和 50 A SiC 二极管即将出炉。凭借相比竞争产品高出 20% 的雪崩能量/UIS 额定值、高重复浪涌电流稳健性以及固有的 SiC 效率和系统成本优势，Microsemi SiC 二极管成为像高电压 HEV/EV 充电站模块中 PFC 和输出整流、车载充电器、DC-DC 转换器、能量回收系统和开关模式电源这样的电气化应用的理想选择。
SiC SBD 相对硅二极管的优势
- 在更高电压 (> 650 V) 和更高开关频率下具体能效优势
- 更低的正向电压 (VF) 可实现更低的静态损耗和更高的能效
- 低 EMI 几乎完全防止了硬开关期间的反向恢复充电 (Qrr)
- 更高温度 (+175°C) 下稳定工作
- 在相同的物理尺寸、更低的成本（更小的磁性元件和滤波器、更少的冷却/散热器成本等）条件下，系统效率实现了 25% 的功率输出增加。
Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 电流 - 平均整流 (Io) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 速度 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MSC010SDA070K | DIODE SIL CARB 700V 10A TO220-2 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 379 - 立即发货 | $3.04 | 查看详情 |
| | MSC030SDA070K | DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2 | 30A | 1.5 V @ 30 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 84 - 立即发货 | $4.89 | 查看详情 |
|  | MSC050SDA070B | DIODE SIL CARBIDE 700V 50A TO247 | 50A | 1.5 V @ 50 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 23 - 立即发货 | $8.76 | 查看详情 |
| | MSC010SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 900 - 立即发货 | $6.73 | 查看详情 |
| | MSC010SDA120K | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 123 - 立即发货 | $6.21 | 查看详情 |
| | MSC015SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 15A TO247 | 15A | 1.5 V @ 15 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 7 - 立即发货 | $9.40 | 查看详情 |
| | MSC020SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 49A TO247 | 49A | 1.8 V @ 20 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 25 - 立即发货 | $15.39 | 查看详情 |
| | MSC030SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 30A TO247 | 30A | 1.5 V @ 30 A | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 716 - 立即发货 | $14.91 | 查看详情 |
发布日期： 2017-12-07
新加坡