高性能碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

            高性能碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
  
                    MCC 的 SiC 二极管非常适合用于太阳能和运动控制的逆变器、UPS、电信基站、PFC 和照明

MCC 的高性能碳化硅 (SiC) 肖特基二极管图片 Micro Commercial Components 高性能 SiC 肖特基二极管可提供高效率和高达 +175°C 的耐高温性能。这些二极管与 650 V 超结 MOSFET 一起构成了一个完整的具有成本效益的分立解决方案。这些 SiC 二极管提供 650 V (2 A/4 A) 和 1200 V (2 A/5 A/10 A/20 A) 版本。可用的封装（TO-220、TO-247 和 DPAK）、其他电流等级和外壳正在接受认证。这些 SiC 二极管的典型应用是用于太阳能和运动控制的逆变器、UPS、Telekom 基站、功率因数校正 (PFC) 和照明应用。

特性

极低的开关损耗
开关频率更高
平行应用的正温度系数

比标准肖特基二极管效率更高
最高工作温度可达 +175°C
最高电压达 1200 V

应用

太阳能和运动控制逆变器
UPS

电信基站
PFC 和照明应用

High-Performance Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
SIC05120B-BP	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
SIC10120PTA-BP	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247AD	0 - 立即发货	$12.36	查看详情
SIC20120PTA-BP	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473	0 - 立即发货	$24.43	查看详情
SICU02120B-TP	DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK	0 - 立即发货	$5.75	查看详情
SICU0260B-TP	DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK	2252 - 立即发货	$3.26	查看详情
SICU0460B-TP	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK	0 - 立即发货	$5.36	查看详情