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碳化硅 (SiC) 超快开关 MOSFET - LSIC1MO120E0080
Littelfuse 提供增强模式 SiC MOSFET 1200 V、N 沟道 LSIC1MO120E 系列
Littelfuse 的 SiC MOSFET LSIC1MO120E 系列提供将低导通电阻和超低开关损耗集于一体，实现了传统 1200 V 类功率晶体管所无可比拟的优势。作为首款碳化硅 MOSFET，其坚固的设计可适应更广范围的高温应用。更小的散热器和更高的功率密度可实现更高能效和更小无源滤波器，且更高的功率密度支持更高的开关频率。该器件在同样电压/电流额定值下具有更小的芯片尺寸。
| 特性 | ||
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| 应用 | ||
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Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 1200 V | 39A（Tc） | 369 - 立即发货 | $27.07 | 查看详情 |
| | LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 1200 V | 27A（Tc） | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
| | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 1200 V | 22A（Tc） | 2221 - 立即发货 1350 - 厂方库存 | $16.43 | 查看详情 |
发布日期： 2018-01-05
新加坡