SiC 功率 MOSFET 和二极管栅极驱动评估板套件

IXYS(Littelfuse Technology 旗下企业)的栅极驱动器评估板分析了 SiC 设计对系统级的影响

SiC 功率 MOSFET 和二极管栅极驱动评估板套件的图片IXYSLittelfuse Technology 旗下企业)已开发出用于碳化硅 MOSFET 和二极管的栅极驱动器评估板。GDEV 系统由一块主板组成,其中可以插入栅极驱动器模块板,从而允许用户分析与基于 SiC 设计相关的系统级影响。它可以比较不同栅极驱动器半桥配置解决方案在定义明确和优化测试条件下的性能。此外,GDEV 还提供了在连续工作条件下的测试栅极驱动电路,以评估栅极驱动器的热性能和 EMI 抗扰度。

资源

特性
  • 评估 SiC 功率 MOSFET 和二极管在额定电压和额定电流下的连续运行
  • 在定义明确和优化的测试条件下比较不同栅极驱动器解决方案的性能。
  • 在连续工作条件下测试栅极驱动电路,以评估栅极驱动器的热性能和 EMI 抗扰度
  • 分析 SiC 设计中的系统级影响
    • 效率提升
    • EMI 辐射
    • 无源元件(尺寸、成本和重量)

SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit

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EVAL BOARD FOR SIC DIODESLF-SIC-EVB-GDEV1EVAL BOARD FOR SIC DIODES0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情

Associated Littelfuse SiC Power Products

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DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263LSIC2SD065D10ADIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263428 - 立即发货
2400 - 厂方库存
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SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3LSIC1MO120E0120SICFET N-CH 1200V 27A TO247-30 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-32221 - 立即发货
1350 - 厂方库存
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SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3LLSIC1MO170E1000SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L0 - 立即发货$4.94查看详情

Associated IXYS SiC Power Products

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SICFET N-CH 1200V 48A SOT227BIXFN50N120SKSICFET N-CH 1200V 48A SOT227B0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227BIXFN70N120SKSICFET N-CH 1200V 68A SOT227B0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AAMCB60I1200TZ-TUBSICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SMPDMCB40P1200LB-TUBMOSFET 2N-CH 1200V 55A SMPD0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
MOSFET 2N-CH 900V SOT227BIXFN130N90SKMOSFET 2N-CH 900V SOT227B0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
MOSFET 2N-CH 1200V SOT227BIXFN27N120SKMOSFET 2N-CH 1200V SOT227B0 - 立即发货$47.89查看详情
SICFET N-CH 1700V 90A SOT227BIXFN90N170SKSICFET N-CH 1700V 90A SOT227B0 - 立即发货$387.36查看详情
发布日期: 2019-12-17