LSIC1MO170E1000 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Littelfuse Inc.
现货: 247
单价: $11.56000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 123
单价: $19.38000
规格书
LFUSCD20120B
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
LFUSCD20120B
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO170E1000

DigiKey 零件编号
F11760-ND
制造商
制造商产品编号
LSIC1MO170E1000
描述
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 1700 V 5A(Tc) 54W(Tc) TO-247AD
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1 欧姆 @ 2A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
200 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
54W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
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