碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 和二极管

Infineon CoolSiC 肖特基二极管提供相对较高的导通电阻和泄漏电流。在 SiC 材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。该产品组合包括 CoolSiC 肖特基二极管、CoolSiC 混合模块、CoolSiC MOSFET 模块和分立器件，以及用于驱动碳化硅器件的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC。

Infineon SiC 肖特基产品系列涵盖 600 V 和 650 V 至 1200 V 肖特基二极管。快速硅基开关与 CoolSiC 肖特基二极管的组合通常被称为混合解决方案。近年来，Infineon 已经生产了数百万个混合模块，并已将其安装在各种客户产品中，例如太阳能和 UPS。CoolSiC MOSFET 建立在最新的沟槽概念之上，树立了基准，既降低了应用损耗，又提高了操作可靠性。