Infineon Technologies

2ED2182S06F 650 V 半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器

Infineon 的 650 V、2.5 A 大电流半桥栅极驱动器 IC 以 DSO-8 封装提供集成的自举二极管

Infineon Technologies 的 2ED2182S06F 650 V 半桥 MOSFET 和栅极驱动器图片Infineon 650 V 半桥高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器在 DSO-8 封装中具有典型的 2.5 A 拉电流和灌电流。该 MOSFET 基于 Infineon 的 SOI 技术，具有出色的稳健性和 VS 引脚上的负瞬态电压抗噪声能力。器件中没有寄生晶闸管结构，这意味着在任何温度或电压条件下都不存在寄生闩锁效应。DSO-14 封装的版本也可通过零件编号 2ED21824S06J 获得。

特性
  • 最高 650 V 的工作电压（VS 节点）
  • 100 V 的负 VS 瞬变抗扰能力
  • 集成的超快速、低电阻自举二极管降低了 BOM 成本
  • 针对自举操作而设计的浮动通道
  • 内置死区时间 (400 ns) 的集成式击穿保护
  • 最大供电电压为 25 V
  • HIN 和 LIN 输入逻辑
  • 两个通道均具有独立的欠压锁定 (UVLO)
  • 200 ns 传播延迟
  • VS 引脚上的逻辑操作电压高达 -11 V
  • -5 V 输入上的负电压容差
  • 浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT
应用
  • 电动汽车快速充电
  • 家电
  • 电机控制和驱动
  • 电源管理 (SMPS) - 参考设计
  • 电动工具

2ED2182S06F 650 V Half-Bridge MOSFET and IGBT Gate Driver

图片制造商零件编号描述驱动器数栅极类型电压 - 供电可供货数量价格查看详情
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC2ED2182S06FXUMA1IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC1IGBT，MOSFET（N 沟道）10V ~ 20V99 - 立即发货$2.55查看详情
发布日期： 2020-10-19

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