场截止 IGBT 技术

            场截止 IGBT 技术
  
                    ON Semiconductor 的场截止 IGBT 具有高输入阻抗和高电流能力

Fairchild 能实现最优性能的 650V、30A/40A/60A、场截止沟槽式 IGBT 图片 ON Semiconductor 的场截止 (FS) IGBT 技术能让设计人员开发出具有更高输入电压，提供最佳性能的高度可靠的系统，以支持需要低传导和开关损耗的应用。 IGBT 具有高电流处理能力、正温度系数、紧密的参数分布和宽安全工作区。更高的击穿电压提高了负环境温度下的可靠性。随着温度下降，IGBT 和 RFD 的阻断电压也会随之降低，使得这些器件极其适用于在寒冷地区安装的光伏太阳能逆变器。因为 IGBT 和续流二极管的选用是实现高能效的关键，ON Semiconductor IGBT 提供快速软恢复，降低了功率耗散并实现低导通和关断损耗。

ON Semiconductor FS 技术带来了高性能，同时又不牺牲可靠性和坚固性，并致力于持续改进 IGBT 性能。我们的第四代技术开发实现了出色的平衡特性和更稳固的动态闩锁效应，其性能优于任何其它 FS IGBT。

白皮书 - 详细分析和性能结果

特性
最高结温：T_j = 175 °C 正温度系数，易于并联工作零件 100% 经过 I_LM(1) 测试低饱和电压： V_CE(sat) = 1.8 V（典型值）@ I_C = 30 A、40 A、60 A		高输入阻抗开关速度快紧密的参数分布符合 RoHS 规范高电流能力
应用
焊机和工业应用以及功率因数校正

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