IGBT 沟槽型场截止 650 V 100 A 268 W 通孔 TO-3PN
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FGA5065ADF

DigiKey 零件编号
FGA5065ADF-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
FGA5065ADF
描述
IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 100 A 268 W 通孔 TO-3PN
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，50A
功率 - 最大值
268 W
开关能量
1.35mJ（导通），309µJ（关断）
输入类型
标准
栅极电荷
72.2 nC
25°C 时 Td（开/关）值
20.8ns/62.4ns
测试条件
400V，50A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
31.8 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
基本产品编号
FGA5065
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