XP83T03GJB YAGEO XSEMI | 分立半导体产品

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产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	YAGEO XSEMI
系列	XP83T03
包装	管件
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1840 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	60W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-251S
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
基本产品编号	XP83