XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | 分立半导体产品

XP3R303GMT-L
DigiKey 零件编号	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - 卷带（TR） 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - 剪切带（CT） 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	YAGEO XSEMI
制造商产品编号	XP3R303GMT-L
描述	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 31A（Ta），105A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PMPAK® 5 x 6
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	YAGEO XSEMI
系列	XP3R303
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	31A（Ta），105A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	21 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2240 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），56.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PMPAK® 5 x 6
封装/外壳	8-PowerLDFN