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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
C3M0120065D | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 1697-C3M0120065D-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | C3M0120065D |
描述 | 650V 120M SIC MOSFET |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 22A（Tc） 98W（Tc） TO-247-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | C3M0120065D 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 157 毫欧 @ 6.76A，15V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 1.86mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28 nC @ 15 V | |
Vgs（最大值） | +19V，-8V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 640 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 98W（Tc） | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 | |
封装/外壳 |
现货: 485
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $13.15000 | $13.15 |
| 10 | $10.21900 | $102.19 |
| 30 | $9.36367 | $280.91 |
| 120 | $8.59967 | $1,031.96 |
| 270 | $8.27270 | $2,233.63 |
| 不含 VAT 单价: | $13.15000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $14.33350 |
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