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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
C3M0025065D | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 1697-C3M0025065D-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | C3M0025065D |
描述 | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET |
原厂标准交货期 | 22 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 97A（Tc） 326W（Tc） TO-247-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | C3M0025065D 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 9.22mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 108 nC @ 15 V |
系列 | Vgs（最大值） +19V，-8V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2980 pF @ 600 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 326W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 TO-247-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 34 毫欧 @ 33.5A，15V |
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替代品 (3)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | 240 | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND | $27.09000 | 类似 |
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | 415 | 448-IMW65R026M2HXKSA1-ND | $23.88000 | 类似 |
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | $24.52000 | 类似 |
现货: 6
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $19.64000 | $19.64 |
| 30 | $11.91000 | $357.30 |
| 120 | $10.21742 | $1,226.09 |
| 510 | $9.23061 | $4,707.61 |
| 不含 VAT 单价: | $19.64000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $21.40760 |
