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C3M0015065D | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 1697-C3M0015065D-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | C3M0015065D |
描述 | SICFET N-CH 650V 120A TO247-3 |
原厂标准交货期 | 20 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 120A(Tc) 416W(Tc) TO-247-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | C3M0015065D 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 21 毫欧 @ 55.8A,15V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 15.5mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 188 nC @ 15 V | |
Vgs(最大值) | +15V,-4V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5011 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 416W(Tc) | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 151
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $25.03000 | $25.03 |
| 30 | $15.51067 | $465.32 |
| 120 | $13.42617 | $1,611.14 |
| 510 | $12.63588 | $6,444.30 |
| 不含 VAT 单价: | $25.03000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $27.28270 |



