TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix | 单 FET，MOSFET

TP0610K-T1-GE3
DigiKey 零件编号	TP0610K-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） TP0610K-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） TP0610K-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	TP0610K-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TP0610K-T1-GE3 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	185mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.7 nC @ 15 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	23 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	350mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号	TP0610

TP0610K-T1-GE3