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可用替代品:

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $2.74965
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 43
单价: $5.95000
规格书
表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2PAK)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SUM50020E-GE3

DigiKey 零件编号
SUM50020E-GE3TR-ND - 卷带(TR)
SUM50020E-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
SUM50020E-GE3
描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
原厂标准交货期
55 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2PAK)
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
128 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11150 pF @ 30 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
60 V
供应商器件封装
TO-263(D2PAK)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
7.5V,10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.2 毫欧 @ 30A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (2)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IRFB3006GPBFInfineon Technologies0IRFB3006GPBF-ND$2.74965类似
TK100E06N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage43TK100E06N1S1X-ND$5.95000类似
现货: 0
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剪切带(CT)
数量 单价总价
1$5.69000$5.69
10$3.73300$37.33
100$2.61980$261.98
卷带(TR)
数量 单价总价
800$2.03761$1,630.09
1,600$1.90180$3,042.88
2,400$1.83264$4,398.34
4,000$1.78222$7,128.88
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$5.69000
含 VAT 单价:$6.20210