MOSFET - 阵列 40V 20A(Tc),60A(Tc) 27W(Tc),48W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双通道不对称
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SQJ244EP-T1_GE3

DigiKey 零件编号
SQJ244EP-T1_GE3TR-ND - 卷带(TR)
SQJ244EP-T1_GE3CT-ND - 剪切带(CT)
SQJ244EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SQJ244EP-T1_GE3
描述
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
原厂标准交货期
39 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 40V 20A(Tc),60A(Tc) 27W(Tc),48W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双通道不对称
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SQJ244EP-T1_GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc),60A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 4A,10V,4.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V,45nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1200pF @ 25V,2800pF @ 25V
功率 - 最大值
27W(Tc),48W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双通道不对称
基本产品编号
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$2.98000$2.98
10$1.90100$19.01
100$1.28480$128.48
500$1.02094$510.47
1,000$0.93610$936.10
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$0.82841$2,485.23
6,000$0.77424$4,645.44
9,000$0.74665$6,719.85
15,000$0.73432$11,014.80
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$2.98000
含 VAT 单价:$3.24820