MOSFET - 阵列 30V 23A(Ta),40A(Tc),35A(Ta),60A(Tc) 3.4W(Ta),26.6W(Tc),3.7W(Ta),50W(Tc) 表面贴装型 8-PowerPair®(6x5)
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SIZF918DT-T1-GE3

DigiKey 零件编号
742-SIZF918DT-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
742-SIZF918DT-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
742-SIZF918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SIZF918DT-T1-GE3
描述
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
原厂标准交货期
17 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 23A(Ta),40A(Tc),35A(Ta),60A(Tc) 3.4W(Ta),26.6W(Tc),3.7W(Ta),50W(Tc) 表面贴装型 8-PowerPair®(6x5)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 N 通道(双),肖特基
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A(Ta),40A(Tc),35A(Ta),60A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 10A,10V,1.9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA,2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 10V,56nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1060pF @ 15V,2650pF @ 15V
功率 - 最大值
3.4W(Ta),26.6W(Tc),3.7W(Ta),50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®(6x5)
基本产品编号
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现货: 5,938
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$3.54000$3.54
10$2.27100$22.71
100$1.54980$154.98
500$1.24116$620.58
1,000$1.14193$1,141.93
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$1.01600$3,048.00
6,000$0.95265$5,715.90
9,000$0.92977$8,367.93
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.54000
含 VAT 单价:$3.85860