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DigiKey 新品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIZF660LDT-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIZF660LDT-T1-GE3 |
描述 | SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M |
原厂标准交货期 | 55 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 28A（Ta），110A（Tc） 4.2W（Ta）， 62.5W（Tc） 表面贴装型 PowerPAIR® 6 x 5FS |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 个 N 通道（半桥） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Ta），110A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 85nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4315pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | 4.2W（Ta）， 62.5W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-WDFN 祼焊盘 | |
供应商器件封装 | PowerPAIR® 6 x 5FS |
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 6,000 | $1.67878 | $10,072.68 |
| 不含 VAT 单价: | $1.67878 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $1.82987 |
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