MOSFET - 阵列 30V 20A(Tc),60A(Tc) 20.2W,32.9W 表面贴装型 8-PowerPair®(6x5)
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SIZ998DT-T1-GE3

DigiKey 零件编号
SIZ998DT-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
SIZ998DT-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
SIZ998DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SIZ998DT-T1-GE3
描述
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
原厂标准交货期
55 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 20A(Tc),60A(Tc) 20.2W,32.9W 表面贴装型 8-PowerPair®(6x5)
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIZ998DT-T1-GE3 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
制造商
Vishay Siliconix
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.1nC @ 4.5V,19.8nC @ 4.5V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
930pF @ 15V,2620pF @ 15V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
功率 - 最大值
20.2W,32.9W
零件状态
在售
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
MOSFET(金属氧化物)
安装类型
表面贴装型
配置
2 个 N 通道(双),肖特基
封装/外壳
8-PowerWDFN
漏源电压(Vdss)
30V
供应商器件封装
8-PowerPair®(6x5)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc),60A(Tc)
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.7 毫欧 @ 15A,10V,2.8 毫欧 @ 19A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 7,223
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所有价格均以 SGD 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$3.46000$3.46
10$2.22100$22.21
100$1.51340$151.34
500$1.21084$605.42
1,000$1.11357$1,113.57
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$0.99010$2,970.30
6,000$0.92799$5,567.94
9,000$0.90251$8,122.59
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.46000
含 VAT 单价:$3.77140