SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | 分立半导体产品

SIZ300DT-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIZ300DT-T1-GE3
描述	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 30V 11A，28A 16.7W，31W 表面贴装型 8-PowerPair®
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SIZ300DT-T1-GE3 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 个 N 通道（半桥）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A，28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	400pF @ 15V
功率 - 最大值	16.7W，31W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerWDFN
供应商器件封装	8-PowerPair®
基本产品编号	SIZ300