MOSFET - 阵列 80V 8.9A(Ta),24.7A(Tc),8.9A(Ta),24.6A(Tc) 4.3W(Ta),33W(Tc) 表面贴装型 8-PowerPair®(3.3x3.3)
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SIZ260DT-T1-GE3

DigiKey 零件编号
742-SIZ260DT-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
742-SIZ260DT-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
742-SIZ260DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SIZ260DT-T1-GE3
描述
MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
原厂标准交货期
17 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 80V 8.9A(Ta),24.7A(Tc),8.9A(Ta),24.6A(Tc) 4.3W(Ta),33W(Tc) 表面贴装型 8-PowerPair®(3.3x3.3)
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIZ260DT-T1-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.9A(Ta),24.7A(Tc),8.9A(Ta),24.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24.5 毫欧 @ 10A,10V,24.7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
820pF @ 40V
功率 - 最大值
4.3W(Ta),33W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®(3.3x3.3)
基本产品编号
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$2.74000$2.74
10$1.74700$17.47
100$1.17560$117.56
500$0.93082$465.41
1,000$0.85209$852.09
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$0.75213$2,256.39
6,000$0.70184$4,211.04
9,000$0.67623$6,086.07
15,000$0.65631$9,844.65
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$2.74000
含 VAT 单价:$2.98660