
SISS61DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SISS61DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SISS61DN-T1-GE3 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 20 V 30.9A(Ta),111.9A(Tc) 5W(Ta),65.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8S |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SISS61DN-T1-GE3 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 20 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 毫欧 @ 15A,4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 231 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±8V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 8740 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 5W(Ta),65.8W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.12000 | $2.12 |
| 10 | $1.33500 | $13.35 |
| 100 | $0.88890 | $88.89 |
| 500 | $0.69732 | $348.66 |
| 1,000 | $0.63568 | $635.68 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.55738 | $1,672.14 |
| 6,000 | $0.51798 | $3,107.88 |
| 9,000 | $0.49894 | $4,490.46 |
| 不含 VAT 单价: | $2.12000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.31080 |











