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DigiKey 新品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIS9122DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIS9122DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIS9122DN-T1-GE3 |
描述 | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS |
原厂标准交货期 | 55 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 100V 2.5A（Ta），7.1A（Tc） 2.3W（Ta），17.8W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 个 N 沟道 | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 100V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta），7.1A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 2.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 210pF @ 50V | |
功率 - 最大值 | 2.3W（Ta），17.8W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 |
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 6,000 | $0.58112 | $3,486.72 |
| 不含 VAT 单价: | $0.58112 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $0.63342 |
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