
SIR638DP-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIR638DP-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) SIR638DP-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) SIR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIR638DP-T1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 |
原厂标准交货期 | 33 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 40 V 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIR638DP-T1-GE3 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 40 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 0.88 毫欧 @ 20A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 204 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | +20V,-16V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 10500 pF @ 20 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 104W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.32000 | $3.32 |
| 10 | $2.13400 | $21.34 |
| 100 | $1.45530 | $145.53 |
| 500 | $1.16502 | $582.51 |
| 1,000 | $1.14040 | $1,140.40 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.95320 | $2,859.60 |
| 6,000 | $0.93170 | $5,590.20 |
| 不含 VAT 单价: | $3.32000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.61880 |


