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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIR632DP-T1-RE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIR632DP-T1-RE3TR-ND - 卷带（TR） SIR632DP-T1-RE3CT-ND - 剪切带（CT） SIR632DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIR632DP-T1-RE3 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8 |
原厂标准交货期 | 33 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 150 V 29A（Tc） 69.5W（Tc） PowerPAK® SO-8 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIR632DP-T1-RE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 150 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34.5 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17 nC @ 7.5 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740 pF @ 75 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 69.5W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 9,223
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.69000 | $2.69 |
| 10 | $1.71600 | $17.16 |
| 100 | $1.15760 | $115.76 |
| 500 | $0.91800 | $459.00 |
| 1,000 | $0.85477 | $854.77 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.74307 | $2,229.21 |
| 6,000 | $0.69834 | $4,190.04 |
| 不含 VAT 单价: | $2.69000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.93210 |
新加坡