Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 9.4067 SGD
Availability: InStock

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SIJH112E-T1-GE3
DigiKey 零件编号	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIJH112E-T1-GE3
描述	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
原厂标准交货期	55 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 23A（Ta），225A（Tc） 3.3W（Ta），333W（Tc） PowerPAK® 8 x 8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SIJH112E-T1-GE3 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 160 nC @ 10 V
制造商 Vishay Siliconix	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 8050 pF @ 50 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 3.3W（Ta），333W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 PowerPAK® 8 x 8
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A（Ta），225A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V	基本产品编号 SIJH112
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA