SIHP18N60E-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 23
单价: $7.10000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: $3.59507
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 37
单价: $5.83000
规格书

类似


Rochester Electronics, LLC
现货: 56,890
单价: $2.71779
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,477
单价: $8.33000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 670
单价: $5.86000
规格书
通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHP18N60E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHP18N60E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHP18N60E-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHP18N60E-GE3 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
92 nC @ 10 V
包装
管件
Vgs(最大值)
±30V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1640 pF @ 100 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
179W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-220AB
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
202 毫欧 @ 9A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and Storage23TK17E65WS1X-ND$7.10000直接
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-ND$3.59507类似
IPP60R180C7XKSA1Infineon Technologies37IPP60R180C7XKSA1-ND$5.83000类似
IPP65R190E6XKSA1Rochester Electronics, LLC56,8902156-IPP65R190E6XKSA1-ND$2.71779类似
SPP20N60S5XKSA1Infineon Technologies1,477448-SPP20N60S5XKSA1-ND$8.33000类似
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管件
数量 单价总价
1,000$2.36574$2,365.74
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$2.36574
含 VAT 单价:$2.57866