SIHP15N65E-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
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SIHP050N60E-GE3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHP15N65E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHP15N65E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHP15N65E-GE3
描述
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHP15N65E-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
280 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
96 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1640 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
34W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
基本产品编号
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不含 VAT 单价:$2.15594
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