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SIHP12N60E-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHP12N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHP12N60E-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHP12N60E-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
原厂标准交货期 | 15 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIHP12N60E-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 937 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 147W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $4.99000 | $4.99 |
| 50 | $2.50780 | $125.39 |
| 100 | $2.26670 | $226.67 |
| 500 | $1.84406 | $922.03 |
| 1,000 | $1.70829 | $1,708.29 |
| 2,000 | $1.59416 | $3,188.32 |
| 5,000 | $1.49162 | $7,458.10 |
| 不含 VAT 单价: | $4.99000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $5.43910 |
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