通孔 N 通道 500 V 12A（Tc） 208W（Tc）
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通孔 N 通道 500 V 12A（Tc） 208W（Tc）
TO-220AB

SIHP12N50C-E3

DigiKey 零件编号
742-SIHP12N50C-E3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHP12N50C-E3
描述
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 500 V 12A（Tc） 208W（Tc）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHP12N50C-E3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
555 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1375 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SIHP12
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