Name: SIHG47N60E-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG47N60E-E3-ND
Price: 16.7097 SGD
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±30V
零件状态不适用于新设计	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9620 pF @ 100 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 357W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 600 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 47A（Tc）	供应商器件封装 TO-247AC
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-247-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 64 毫欧 @ 24A，10V	基本产品编号 SIHG47

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替代品 (17)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
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