SIHG17N60D-GE3 已经过时且不再制造。
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通孔 N 通道 600 V 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHG17N60D-GE3

DigiKey 零件编号
SIHG17N60D-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHG17N60D-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
规格书
 规格书
产品属性
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显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
90 nC @ 10 V
包装
管件
Vgs(最大值)
±30V
零件状态
停产
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1780 pF @ 100 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
277.8W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-247AC
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
340 毫欧 @ 8A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
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