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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHG100N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHG100N60E-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHG100N60E-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 30A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 50 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1851 pF @ 100 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 208W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 600 V | 供应商器件封装 TO-247AC |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 13A，10V |
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替代品 (1)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | $1,007.34000 | 类似 |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $9.44000 | $9.44 |
| 10 | $6.36600 | $63.66 |
| 100 | $4.62590 | $462.59 |
| 500 | $3.88498 | $1,942.49 |
| 1,000 | $3.84864 | $3,848.64 |
| 不含 VAT 单价: | $9.44000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $10.28960 |
