SIHFS9N60A-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 75
单价: $6.71000
规格书

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 895
单价: $6.71000
规格书

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 800
单价: $6.71000
规格书

类似


IXYS
现货: 113
单价: $7.65000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 176
单价: $3.95000
规格书
表面贴装型 N 通道 600 V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2PAK)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 600 V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2PAK)
TO-263-3

SIHFS9N60A-GE3

DigiKey 零件编号
SIHFS9N60A-GE3-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
SIHFS9N60A-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
原厂标准交货期
15 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2PAK)
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
49 nC @ 10 V
包装
卷带(TR)
Vgs(最大值)
±30V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
170W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-263(D2PAK)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
750 毫欧 @ 5.5A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (5)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IRFS9N60APBFVishay Siliconix75IRFS9N60APBF-ND$6.71000参数等效
IRFS9N60ATRLPBFVishay Siliconix895IRFS9N60ATRLPBFCT-ND$6.71000参数等效
IRFS9N60ATRRPBFVishay Siliconix800742-IRFS9N60ATRRPBFCT-ND$6.71000参数等效
IXFA10N60PIXYS113IXFA10N60P-ND$7.65000类似
R6007ENJTLRohm Semiconductor176R6007ENJTLCT-ND$3.95000类似
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卷带(TR)
数量 单价总价
1,000$1.31096$1,310.96
2,000$1.21941$2,438.82
3,000$1.18472$3,554.16
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.31096
含 VAT 单价:$1.42895