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SIHFR9120-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHFR9120-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIHFR9120-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHFR9120-GE3 |
描述 | MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK |
原厂标准交货期 | 26 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 100 V 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 100 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 3.4A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 390 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-252AA | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $1.66000 | $1.66 |
| 10 | $1.04100 | $10.41 |
| 100 | $0.68350 | $68.35 |
| 500 | $0.52946 | $264.73 |
| 1,000 | $0.47985 | $479.85 |
| 3,000 | $0.41686 | $1,250.58 |
| 6,000 | $0.38514 | $2,310.84 |
| 12,000 | $0.35847 | $4,301.64 |
| 不含 VAT 单价: | $1.66000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $1.80940 |
新加坡