SIHFR430ATR-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:
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图像仅供参考,请参阅产品规格书。
SIHFR430ATR-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIHFR430ATR-GE3TR-ND - 卷带(TR) |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHFR430ATR-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK |
原厂标准交货期 | 15 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 500 V 5A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 卷带(TR) | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 500 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.7 欧姆 @ 3A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 490 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-252AA | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2,000 | $0.58067 | $1,161.34 |
| 4,000 | $0.53738 | $2,149.52 |
| 6,000 | $0.51534 | $3,092.04 |
| 10,000 | $0.49721 | $4,972.10 |
| 不含 VAT 单价: | $0.58067 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $0.63293 |



