SIHFR1N60ATR-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 2,716
单价: $3.33000
规格书

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $1.05613
规格书

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 5,457
单价: $3.33000
规格书

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $2.24000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 3,671
单价: $1.60000
规格书
表面贴装型 N 通道 600 V 1.4A(Tc) 36W(Tc) TO-252AA
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHFR1N60ATR-GE3

DigiKey 零件编号
SIHFR1N60ATR-GE3-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
SIHFR1N60ATR-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
原厂标准交货期
91 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 1.4A(Tc) 36W(Tc) TO-252AA
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V
包装
卷带(TR)
Vgs(最大值)
±30V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
229 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
36W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-252AA
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 欧姆 @ 840mA,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IRFR1N60APBFVishay Siliconix2,716IRFR1N60APBF-ND$3.33000参数等效
IRFR1N60ATRLPBFVishay Siliconix0IRFR1N60ATRLPBFTR-ND$1.05613参数等效
IRFR1N60ATRPBFVishay Siliconix5,457IRFR1N60APBFCT-ND$3.33000参数等效
SIHFR1N60A-GE3Vishay Siliconix0SIHFR1N60A-GE3-ND$2.24000参数等效
RDD020N60TLRohm Semiconductor0RDD020N60TL-ND$0.00000类似
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此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后,DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
数量 单价总价
2,000$0.46759$935.18
4,000$0.43112$1,724.48
6,000$0.41254$2,475.24
10,000$0.39167$3,916.70
14,000$0.38405$5,376.70
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.46759
含 VAT 单价:$0.50967