SIHD7N60E-E3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
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IXYS
现货: 345
单价: $5.83000
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STMicroelectronics
现货: 3,547
单价: $2.44000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 2,831
单价: $3.69000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 385
单价: $6.84000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 7,097
单价: $2.85000
规格书
表面贴装型 N 通道 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHD7N60E-E3

DigiKey 零件编号
SIHD7N60E-E3-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
SIHD7N60E-E3
描述
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHD7N60E-E3 型号
产品属性
cms-filter-similar-products
cms-show-empty-attributes
Category
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
包装
卷带(TR)
Vgs(最大值)
±30V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
680 pF @ 100 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-252AA
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 3.5A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPD60R600E6ATMA1Infineon Technologies0448-IPD60R600E6ATMA1TR-ND$0.00000类似
IXTY8N65X2IXYS345IXTY8N65X2-ND$5.83000类似
STD10N60M2STMicroelectronics3,547497-13937-1-ND$2.44000类似
STD11N65M5STMicroelectronics2,831497-12935-1-ND$3.69000类似
STD11NM60NDSTMicroelectronics385497-8477-1-ND$6.84000类似
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卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$1.36875$4,106.25
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.36875
含 VAT 单价:$1.49194