SIHD7N60E-E3 可以购买了,但通常没有现货。
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SIHD7N60E-E3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHD7N60E-E3-ND - 卷带(TR) |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHD7N60E-E3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIHD7N60E-E3 型号 |
产品属性
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Category | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V |
包装 卷带(TR) | Vgs(最大值) ±30V |
零件状态 在售 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 680 pF @ 100 V |
FET 类型 | 功率耗散(最大值) 78W(Tc) |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
漏源电压(Vdss) 600 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-252AA |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 3.5A,10V | 基本产品编号 |
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替代品 (6)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPD60R600E6ATMA1TR-ND | $0.00000 | 类似 |
| IXTY8N65X2 | IXYS | 345 | IXTY8N65X2-ND | $5.83000 | 类似 |
| STD10N60M2 | STMicroelectronics | 3,547 | 497-13937-1-ND | $2.44000 | 类似 |
| STD11N65M5 | STMicroelectronics | 2,831 | 497-12935-1-ND | $3.69000 | 类似 |
| STD11NM60ND | STMicroelectronics | 385 | 497-8477-1-ND | $6.84000 | 类似 |
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所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $1.36875 | $4,106.25 |
| 不含 VAT 单价: | $1.36875 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $1.49194 |




