SIHD6N65ET5-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
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SIHD6N65ET5-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHD6N65ET5-GE3-ND - 卷带(TR) |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHD6N65ET5-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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Category | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±30V |
包装 卷带(TR) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 820 pF @ 100 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 78W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压(Vdss) 650 V | 供应商器件封装 TO-252AA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 3A,10V |
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替代品 (3)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R600P6ATMA1-ND | $0.00000 | 类似 |
| IXFA14N60P | IXYS | 90 | IXFA14N60P-ND | $8.82000 | 类似 |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | $6.82470 | 类似 |
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.91556 | $2,746.68 |
| 6,000 | $0.89154 | $5,349.24 |
| 不含 VAT 单价: | $0.91556 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $0.99796 |



