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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHD6N65E-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHD6N65E-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
原厂标准交货期 | 25 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIHD6N65E-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 3A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 820 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 78W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-252AA | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 1,863
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.26000 | $3.26 |
| 75 | $1.48680 | $111.51 |
| 150 | $1.33987 | $200.98 |
| 525 | $1.13086 | $593.70 |
| 1,050 | $1.04037 | $1,092.39 |
| 2,025 | $0.96796 | $1,960.12 |
| 5,025 | $0.90558 | $4,550.54 |
| 不含 VAT 单价: | $3.26000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.55340 |
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