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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHD2N80AE-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
原厂标准交货期 | 22 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 800 V 2.9A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10.5 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 180 pF @ 100 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 62.5W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 800 V | 供应商器件封装 TO-252AA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.9 欧姆 @ 500mA，10V |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.58000 | $2.58 |
| 10 | $1.64000 | $16.40 |
| 100 | $1.10040 | $110.04 |
| 500 | $0.86896 | $434.48 |
| 1,000 | $0.79449 | $794.49 |
| 3,000 | $0.69994 | $2,099.82 |
| 6,000 | $0.65236 | $3,914.16 |
| 12,000 | $0.61238 | $7,348.56 |
| 不含 VAT 单价: | $2.58000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.81220 |
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